檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "電子工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="氧化銅" and ckeyword.raw="氧化亞銅"
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本研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2及玻璃基板上以三種氬氧氣體比例在基板溫度300C下沉積氧化銅及摻鋁氧化銅薄膜,探討氣體流量及摻鋁濃度(0~10 at.%)對所沉積薄膜之影響。研究結果顯示當…
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此研究先以反應式離子束濺鍍法於SiO2基板上依不同的氧氬比沉積銅氧化物薄膜,由Ar:O2=3.5:2.5的比例沉積300 oC與400 oC的氧化銅和Ar:O2=4.2:0.7的比例沉積300 oC…
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此研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2/Si基版及石英基板上沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜,探討氬/氧流量及基板溫度對所沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜之影響。研究結果顯示在300℃或400℃所沉積之氧化銅/氧化亞…